doc: Add external ram note link to CN translation

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Marius Vikhammer
2019-12-10 12:54:13 +08:00
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commit a7bac4721a
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@@ -412,7 +412,7 @@ Below is a "big scenario" which describes some small scenarios in AP mode:
{IDF_TARGET_NAME} Wi-Fi Scan
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Currently, the esp_wifi_scan_start() API is supported only in Station or Station+AP mode.

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@@ -9,14 +9,14 @@
简介
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ESP32 提供了 520 KB 的片上 SRAM可以满足大部分需求。但有些场景可能需要更多 RAM因此 ESP32 另外提供了高达 4 MB 的片外 SPI RAM 存储器以供用户使用。片外 RAM 被添加到内存映射中,在某些范围内与片上 RAM 使用方式相同。
{IDF_TARGET_NAME} 提供了 520 KB 的片上 SRAM可以满足大部分需求。但有些场景可能需要更多 RAM因此 {IDF_TARGET_NAME} 另外提供了高达 4 MB 的片外 SPI RAM 存储器以供用户使用。片外 RAM 被添加到内存映射中,在某些范围内与片上 RAM 使用方式相同。
硬件
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ESP32 支持与 SPI Flash 芯片并联的 SPI PSRAM。ESP32 支持多种类型的 RAM 芯片,但 ESP32 SDK 当前仅支持 ESP-PSRAM32 芯片。
{IDF_TARGET_NAME} 支持与 SPI Flash 芯片并联的 SPI PSRAM。{IDF_TARGET_NAME} 支持多种类型的 RAM 芯片,但 {IDF_TARGET_NAME} SDK 当前仅支持 ESP-PSRAM32 芯片。
ESP-PSRAM32 芯片的工作电压为 1.8 V只能与 1.8 V flash 并联使用。请确保在启动时将 MTDI 管脚设置为高电平,或者将 ESP32 中的熔丝设置为始终使用 1.8 V 的 VDD_SIO 电平,否则有可能会损坏 PSRAM 和/或 flash 芯片。
ESP-PSRAM32 芯片的工作电压为 1.8 V只能与 1.8 V flash 并联使用。请确保在启动时将 MTDI 管脚设置为高电平,或者将 {IDF_TARGET_NAME} 中的熔丝设置为始终使用 1.8 V 的 VDD_SIO 电平,否则有可能会损坏 PSRAM 和/或 flash 芯片。
要将 ESP-PSRAM 芯片连接到 ESP32D0W*,请连接以下信号:
* PSRAM /CE (pin 1) > ESP32 GPIO 16
@@ -46,10 +46,10 @@ ESP-IDF 完全支持将外部存储器集成到您的应用程序中。您可以
.. _external_ram_config_memory_map:
集成片外 RAM 到 ESP32 内存映射
集成片外 RAM 到 {IDF_TARGET_NAME} 内存映射
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:ref:`CONFIG_SPIRAM_USE` 中选择 "Integrate RAM into ESP32 memory map集成片外 RAM 到 ESP32 内存映射)" 选项。
:ref:`CONFIG_SPIRAM_USE` 中选择 "Integrate RAM into {IDF_TARGET_NAME} memory map集成片外 RAM 到 {IDF_TARGET_NAME} 内存映射)" 选项。
这是集成片外 RAM 最基础的设置选项,大多数用户需要用到其他更高级的选项。
@@ -123,5 +123,6 @@ ESP-IDF 启动过程中,片外 RAM 被映射到以 0x3F800000 起始的数据
.. include:: inc/external-ram-esp32-notes.rst
.. _ESP32 ECO: https://www.espressif.com/sites/default/files/documentation/eco_and_workarounds_for_bugs_in_esp32_en.pdf

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@@ -0,0 +1 @@
.. include:: ../../en/api-guides/inc/external-ram-esp32-notes.rst